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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT651
FZT651 PDF预览

FZT651

更新时间： 2024-11-06 10:22:59
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页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
SOT223 NPN SILICON PLANAR

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FZT651 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：366747
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：sot223_1
Samacsys Released Date：2019-08-29 11:53:30Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

FZT651 数据手册

 浏览型号FZT651的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
FZT651  
HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS  
ISSUE 2 – FEBRUARY 1995  
FEATURES  
*
*
*
60 Volt VCEO  
C
3 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
E
COMPLEMENTARY TYPE – FZT751  
C
B
PARTMARKING DETAIL – FZT651  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
Collector-Emitter Voltage  
60  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
6
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
3
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
MAX.  
amb  
TYP.  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 80  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO 60  
V
V
IC=10mA*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
5
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
0.1  
10  
VCB=60V  
VCB=60V,T =100°C  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
0.1  
VEB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.12  
0.43  
0.3  
0.6  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=3A, IB=300mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
1.25  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
0.8  
1
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
70  
100  
80  
200  
200  
170  
80  
IC=50mA, VCE =2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE =2V*  
300  
40  
IC=2A, VCE =2V*  
Transition Frequency  
Switching Times  
fT  
140  
175  
MHz  
IC=100mA, VCE =5V  
f=100MHz  
t on  
45  
ns  
ns  
pF  
IC=500mA, VCC =10V  
IB1=IB2=50mA  
t off  
800  
Output Capacitance  
Cobo  
30  
VCB =10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 207  
12

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FZT651 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZT651QTC DIODES

完全替代

 60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223
FZT651TC DIODES

类似代替

 60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223
FZT651QTA DIODES

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