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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SOT-223, 4 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 20 pF | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT657Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 300V, 0.5A, SOT223 |
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| FZT657QTA | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| FZT657TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| FZT657TC | DIODES |
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0.5A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| FZT658 | DIODES |
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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| FZT658 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Planar High Voltage Transistor |
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| FZT658 | TYSEMI |
获取价格 |
400 Volt VCEO, Low saturation voltage |
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| FZT658 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| FZT658-A | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FZT658TA | DIODES |
获取价格 |
400V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223 |
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