FZT658

更新时间： 2024-11-18 10:22:59

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管高压局域网
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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FZT658 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

FZT658 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

ISSUE 4 - OCTOBER 1995

FZT658

FEATURES

400 Volt V_CEO

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

FZT758

FZT658

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

400

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

0.5

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

V_CB=320V

V_EB=4V

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

400

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

100

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.3

0.25

0.5

I_C=20mA, I_B=1mA*

I_C=50mA, I_B=5mA*

I_C=100mA, I_B=10mA

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

I_C=100mA, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

1.0

I_C=100mA, V_CE=5V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=1mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=200mA, V_CE=10V*

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=10mA, V_CE=20V

f=20MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=20V, f=1MHz

130

I_C=100mA, V_CC=100V

I_B1=10mA, I_B2=-20mA

3300

t_off

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 215

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FZT658 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT658TC	DIODES	类似代替	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
FZT658TA	DIODES	功能相似	400V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223

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FZT658TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
FZT658TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
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FZT660A	ETC	获取价格
FZT660AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT660AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
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