FZT658TC

更新时间： 2024-11-18 13:07:55

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管高压局域网
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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FZT658TC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.16
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

FZT658TC 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

ISSUE 4 - OCTOBER 1995

FZT658

FEATURES

400 Volt V_CEO

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

FZT758

FZT658

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

400

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

0.5

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

V_CB=320V

V_EB=4V

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

400

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

100

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.3

0.25

0.5

I_C=20mA, I_B=1mA*

I_C=50mA, I_B=5mA*

I_C=100mA, I_B=10mA

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

I_C=100mA, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

1.0

I_C=100mA, V_CE=5V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=1mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=200mA, V_CE=10V*

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=10mA, V_CE=20V

f=20MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=20V, f=1MHz

130

I_C=100mA, V_CC=100V

I_B1=10mA, I_B2=-20mA

3300

t_off

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 215

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FZT658TC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT658	DIODES	类似代替	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT658TA	DIODES	功能相似	400V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223

与FZT658TC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT660	ETC	获取价格
FZT660A	ETC	获取价格
FZT660AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT660AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT660AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT660D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT660L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT660S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT688B	TYSEMI	获取价格	Extremely low equivalent on resistance; RCE(s
FZT688B	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor

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