FZT688B

更新时间： 2024-11-17 22:48:51

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT688B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

FZT688B 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FZT688B

FEATURES

Extremely low equivalent on resistance; R_CE(sat)83mΩ at 3A

Gain of 400 at I_C=3 Amps and very low saturation voltage

APPLICATIONS

Flash gun convertors & Battery powered circuits

PARTMARKING DETAIL

COMPLEMENTARY TYPE -

FZT688B

FZT788B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO12

V_(BR)CEO12

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

0.1

_CB=10V

_EB=4V

µA

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.04

0.06

0.18

0.35

0.40

I_C=0.1A, I_B=1mA

I_C=0.1A,I_B=0.5mA*

I_C=1A, I_B=50mA*

I_C=3A, I_B=20mA*

I_C=4A, I_B=50mA*

Base-Emitter SaturationVoltage

Base-Emitter Turn-On Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

1.1

1.0

I_C=3A, I_B=20mA*

I_C=3A, V_CE=2V

Static Forward Current Transfer

Ratio

500

400

100

I_C=0.1A, V_CE=2V*

I_C=3A, V_CE=2V*

I_C=10A, V_CE=2V*

Transition Frequency

f_T

150

MHz I_C=50mA,V_CE=5V

f=50MHz

Input Capacitance

Output Capacitance

Switching Times

C_ibo

200

V_EB=0.5Vf=1MHz

V_CB=10V,f=1MHz

C_obo

t_on

t_off

500

I =500mA, I_B1=50A

I_B2=50mA, V_CC=10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 217

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