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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SOT-223, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT660L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| FZT660S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT688B | TYSEMI |
获取价格 |
Extremely low equivalent on resistance; RCE(s |
|
| FZT688B | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor |
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| FZT688B | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
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| FZT688B | DIODES |
获取价格 |
NPN, 12V, 4A, SOT223 |
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| FZT688BTA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| FZT688BTC | DIODES |
获取价格 |
Transistor |
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| FZT688BTC | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT689 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
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