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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT692B
FZT692B PDF预览

FZT692B

更新时间： 2024-11-21 12:20:07
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT692B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-223
包装说明：SOT-223, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：1
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

FZT692B 数据手册

 浏览型号FZT692B的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM  
FZT692B  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FEATURES  
C
*
High Gain + Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
E
*
*
Darlington replacement  
C
Relay drivers, DC-DC converters  
B
PARTMARKING DETAIL -  
FZT692B  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
70  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
70  
V
5
V
Peak Pulse Current  
5
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
2
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT TEST CONDITIONS.  
PARAMETER  
BreakdownVoltages  
V(BR)CBO 70  
V(BR)CEO 70  
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
V
V(BR)EBO  
ICBO  
5
V
Cut-Off Currents  
0.1  
0.1  
V
CB=55V  
EB=4V  
µA  
µA  
IEBO  
V
Saturation Voltages  
VCE(sat)  
0.15  
0.5  
0.5  
V
V
V
IC=0.1A, IB=0.5mA*  
IC=1A, IB=10mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.9  
0.9  
V
V
IC=1A, IB=10mA*  
IC=1A, VCE=2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
500  
400  
150  
IC=100mA,VCE=2V*  
IC=500mA, VCE =2V*  
IC=1A,VCE=2V*  
Transition Frequency  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
fT  
150  
MHz IC=50mA, VCE=5V, f=50MHz  
Cibo  
Cobo  
200  
12  
pF  
pF  
VEB=0.5V, f=1MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
IC=500mA, IB1=50mA  
ton  
toff  
46  
1440  
ns  
ns  
IB2=50mA, VCC=10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 223  
12

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