FZT689BTA

更新时间： 2024-11-21 13:07:55

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管局域网
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描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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FZT689BTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	1.47
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

FZT689BTA 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FZT689B

FEATURES

Gain of 400 at I_C=2 Amps and low saturation voltage

Extremely low equivalent on-resistance; R_CE(sat)92mΩ at 3A

APPLICATIONS

Darlington replacement

Flash gun convertors and Battery powered circuits

PARTMARKING DETAIL -

COMPLEMENTARY TYPE -

FZT689B

FZT789B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Breakdown Voltage

Collector-Base

Collector-Emitter

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

I_C=100µA

I_C=10mA*

Emitter-Base

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E=100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

0.1

_CB=16V

_EB=4V

µA

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.10

0.50

0.45

I_C=0.1A, I_B=0.5mA*

I_C=2A, I_B=10mA*

I_C=3A, I_B=20mA*

Base-EmitterSaturationVoltage V_BE(sat)

0.9

I_C=1A, I_B=10mA*

I_C=1A, V_CE=2V*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

500

400

150

I_C=0.1A, V_CE=2V*

I_C=2A, V_CE=2V*

I_C=6A, V_CE=2V*

Transition Frequency

f_T

150

MHz I_C=50mA, V_CE=5V

f=50MHz

Input Capacitance

Output Capacitance

Switching Times

C_ibo

200

V_EB=0.5V, f=1MHz

V_CB=10V, f=1MHz

C_obo

t_on

t_off

800

I_C=500mA,I_B1=50mA

I_B2=50mA, V_CC=10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 219

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DNLS320E-13	DIODES	类似代替	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
FZT689BTC	DIODES	功能相似	暂无描述
FZT689B	DIODES	功能相似	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

与FZT689BTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT689BTC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT689BTC	DIODES	获取价格	暂无描述
FZT690	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690B	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690B	DIODES	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT690B	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor
FZT690B	TYSEMI	获取价格	Very low equivalent on-resistance; RCE(sat) 1
FZT690BQ	DIODES	获取价格	NPN, 45V, 3A, SOT223
FZT690BTA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT690BTC	DIODES	获取价格	3A, 45V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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