5秒后页面跳转
FZT660S62Z PDF预览

FZT660S62Z

更新时间: 2024-11-18 14:09:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

FZT660S62Z 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-223
包装说明:SOT-223, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):75 MHzBase Number Matches:1

FZT660S62Z 数据手册

 浏览型号FZT660S62Z的Datasheet PDF文件第2页 

与FZT660S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZT688B TYSEMI

获取价格

Extremely low equivalent on resistance; RCE(s
FZT688B KEXIN

获取价格

NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor
FZT688B ZETEX

获取价格

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT688B DIODES

获取价格

NPN, 12V, 4A, SOT223
FZT688BTA DIODES

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT688BTC DIODES

获取价格

Transistor
FZT688BTC ZETEX

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT689 ZETEX

获取价格

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT689B ZETEX

获取价格

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT689B DIODES

获取价格

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM