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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SOT-223, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT660AS62Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| FZT660D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT660L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT660S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| FZT688B | TYSEMI |
获取价格 |
Extremely low equivalent on resistance; RCE(s |
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| FZT688B | KEXIN |
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NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor |
|
| FZT688B | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
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| FZT688B | DIODES |
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NPN, 12V, 4A, SOT223 |
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| FZT688BTA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT688BTC | DIODES |
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Transistor |
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