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FZT649S62Z

更新时间： 2024-11-20 14:42:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	46K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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FZT649S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.69	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

FZT649S62Z 数据手册

Discrete Power & Signal

Technologies

July 1998

FZT649

SOT-223

NPN Low Saturation Transistor

These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A

continuous.

Absolute Maximum Ratings*

T_{A = 25°C unless otherwise noted}

FZT649

Symbol

Parameter

Units

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_EBO

Collector Current - Continuous

I_C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

T_J,T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

T_{A = 25°C unless otherwise noted}

Max

Characteristic

Symbol

Units

FZT649

Total Device Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

P_D

62.5

°C/W

R_qJA

Page 1 of 2

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

fzt649.lwpPrNC 7/10/98 revB

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT649TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT651	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS
FZT651	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Planar High Performance Transistors
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