是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.17 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 3 A | 集电极-发射极最大电压: | 25 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 240 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FZT649 | DIODES |
完全替代 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR | |
FZT649TA | DIODES |
类似代替 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 | |
FZT649 | FAIRCHILD |
功能相似 |
NPN Low Saturation Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FZT651 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS | |
FZT651 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Planar High Performance Transistors | |
FZT651 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR | |
FZT651 | TYSEMI |
获取价格 |
60 Volt VCEO, 3 Amp continuous current. | |
FZT651 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor | |
FZT651_12 | DIODES |
获取价格 |
60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 | |
FZT651Q | SWST |
获取价格 |
功率三极管 | |
FZT651Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 60V, 3A, SOT223 | |
FZT651QTA | DIODES |
获取价格 |
60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 | |
FZT651QTC | DIODES |
获取价格 |
60V NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 |