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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT649
FZT649 PDF预览

FZT649

更新时间： 2024-09-15 22:48:51
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管PC局域网
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2页 93K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

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FZT649 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.17
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A基于收集器的最大容量：50 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：240 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

FZT649 数据手册

 浏览型号FZT649的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
FZT649  
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR  
ISSUE 4– FEBRUARY 1996  
FEATURES  
*
*
*
*
25 Volt VCEO  
C
3 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Excellent hFE specified up to 6A  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE –  
FZT749  
B
PARTMARKING DETAIL –  
FZT649  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
35  
Collector-Emitter Voltage  
25  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
8
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
3
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
MAX. UNIT  
V
amb  
TYP.  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
35  
25  
5
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V
V
IC=10mA*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
0.1  
10  
V
CB=30V  
µA  
µA  
VCB=30V,T =100°C  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
0.1  
VEB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.12  
0.40  
0.3  
0.6  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=3A, IB=300mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
1.25  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
0.8  
1.0  
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
70  
100  
75  
200  
200  
150  
50  
IC=50mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
IC=2A, VCE=2V*  
IC=6A, VCE=2V*  
300  
50  
15  
Transition Frequency  
fT  
150  
240  
MHz  
IC=100mA, VCE=5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
ton  
25  
pF  
ns  
ns  
VCB=10V, f=1MHz  
55  
IC=500mA, VCC=10V  
IB1=IB2=50mA  
toff  
300  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 205  
12

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