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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 3.52 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT605_13 | DIODES |
获取价格 |
120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 |
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| FZT605TA | DIODES |
获取价格 |
120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 |
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| FZT605TC | DIODES |
获取价格 |
120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 |
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| FZT649 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
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| FZT649 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Low Saturation Transistor |
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| FZT649 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 低饱和晶体管 |
|
| FZT649 | TYSEMI |
获取价格 |
3 Amp continuous current., Low saturation voltage |
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| FZT649 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Planar High Performance Transistor |
|
| FZT649 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
|
| FZT649_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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