5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | GREEN, SOT-223, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 0.75 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 325287 | Samacsys Pin Count： | 4 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | SOT223 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | AP02001 SOT223 | Samacsys Released Date： | 2016-05-27 09:24:16 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FZT605TC | DIODES |
类似代替  |
120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 |
|
| FZT604TA | DIODES |
功能相似 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| FZT605 | DIODES |
功能相似 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT605TC | DIODES |
获取价格 |
120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 |
|
| FZT649 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
|
| FZT649 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Low Saturation Transistor |
|
| FZT649 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 低饱和晶体管 |
|
| FZT649 | TYSEMI |
获取价格 |
3 Amp continuous current., Low saturation voltage |
|
| FZT649 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Planar High Performance Transistor |
|
| FZT649 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
|
| FZT649_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FZT649D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT649L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
