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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50R06W1E3 | INFINEON |
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EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC |
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| FS50R06W1E3_B11 | INFINEON |
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EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / |
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| FS50R06W1E3BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22 |
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| FS50R06YE3 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FS50R06YL4 | EUPEC |
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IGBT-Module |
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| FS50R07N2E4 | INFINEON |
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EconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC |
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| FS50R07N2E4_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
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| FS50R07N2E4B11BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
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| FS50R07N2E4BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FS50R07U1E4 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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