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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.57 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | VCEsat-Max： | 1.95 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50R07N2E4_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
|
| FS50R07N2E4B11BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
|
| FS50R07N2E4BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| FS50R07U1E4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FS50R07U1E4BPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FS50R07W1E3_B11A | INFINEON |
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PressFIT |
|
| FS50R07W1E3B11ABOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACK |
|
| FS50R10KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| FS50R12KE3 | INFINEON |
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Höchstzulässige Werte / maximum rated value |
|
| FS50R12KE3BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28 |
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