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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18 | 针数： | 33 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 83 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X18 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 18 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 335 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 490 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 185 ns | VCEsat-Max： | 2.15 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50R12W2T4B11BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 83A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
|
| FS50R12W2T4BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 83A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| FS50R12W2T7 | INFINEON |
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EasyPACK??2B 1200 V,?50 A 六单元?IGBT模块，采用TRENCH |
|
| FS50R12W2T7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
|
| FS50R17KE3_B17 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FS50R17KE3_B17 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 82A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-19 |
|
| FS50SM03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247VAR |
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| FS50SM06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS50SM-06 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50SM-06 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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