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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50R12KE3 | INFINEON |
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Höchstzulässige Werte / maximum rated value |
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| FS50R12KE3BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28 |
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| FS50R12KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| FS50R12KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| FS50R12KT3 | INFINEON |
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EconoPACK™2 1200 V, 50 A sixpack IGBT module |
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| FS50R12KT3 | EUPEC |
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echnische Information / technical information |
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| FS50R12KT3_04 | EUPEC |
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EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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| FS50R12KT4_B11 | INFINEON |
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EconoPACK2 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode |
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| FS50R12KT4_B15 | INFINEON |
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EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode |
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| FS50R12KT4B11BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
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