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FS50R12KE3BOSA1

更新时间： 2024-11-14 20:07:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 185K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28

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FS50R12KE3BOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：2.09外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X28
元件数量：6端子数量：28
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：610 ns标称接通时间 (ton)：140 ns
Base Number Matches：1

FS50R12KE3BOSA1 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FS50R12KE3  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / electrical properties  
Kollektor Emitter Sperrspannung  
collector emitter voltage  
Tvj= 25°C  
VCES  
1200  
V
50  
75  
A
A
Kollektor Dauergleichstrom  
DC collector current  
Tc= 80°C  
Tc= 25°C  
IC, nom  
IC  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tp= 1ms, Tc= 80°C  
ICRM  
100  
270  
+20  
50  
A
W
V
Gesamt Verlustleistung  
total power dissipation  
Tc= 25°C; Transistor  
Ptot  
Gate Emitter Spitzenspannung  
gate emitter peak voltage  
VGES  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
tp= 1ms  
IFRM  
100  
700  
2,5  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t value  
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C  
RMS, f= 50Hz, t= 1min.  
I²t  
A²s  
kV  
Isolations Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
-
typ.  
1,7  
2,0  
max.  
2,15  
-
IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 25°C  
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung  
VCEsat  
VGE(th)  
QG  
collector emitter saturation voltage  
IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 125°C  
-
Gate Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC= 2,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C  
5,0  
5,8  
0,47  
3,50  
0,13  
-
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE= -15V...+15V  
µC  
nF  
nF  
mA  
nA  
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität  
input capacitance  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
-
Kollektor Emitter Reststrom  
collector emitter cut off current  
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C  
ICES  
5
Gate Emitter Reststrom  
gate emitter leakage current  
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C  
IGES  
-
400  
prepared by: MOD-D2; M. Münzer  
approved: SM TM; Robert Severin  
date of publication: 2002-09-03  
revision: 3.0  
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls  
2002-09-03  
1 (8)  
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