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FS50R12W1T7

更新时间： 2024-11-14 20:04:11

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英飞凌 - INFINEON		栅
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FS50R12W1T7 技术参数

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FS50R12W1T7 数据手册

FS50R12W1T7

EasyPACK™ꢀ模块ꢀ采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管ꢀ带有温度检测NTC

EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀNTC

初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 50A / I_CRM= 100A

潜在应用

PotentialꢀApplications

• UPSꢀsystems

• UPS系统

• 伺服驱动器

• 电机传动

• 空调

• Servoꢀdrives

• Motorꢀdrives

• Airꢀconditioning

• Auxiliaryꢀinverters

• 辅助逆变器

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• LowꢀV_CEsat

• 低ꢀꢀV_CEsat

• 沟槽栅IGBT7

• 过载操作达175°C

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

• Overloadꢀoperationꢀupꢀtoꢀ175°C

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 2.5ꢀkVꢀ交流ꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘

• 低热阻的三氧化二铝ꢀAl₂O₃ꢀ衬底

• 焊接技术

• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• Al₂O₃ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance

• Solderꢀcontactꢀtechnology

• Compactꢀdesign

• 紧凑型设计

• 高功率密度

• Highꢀpowerꢀdensity

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.0

www.infineon.com

2020-01-29

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