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FS50R07N2E4_B11

更新时间： 2024-09-26 19:56:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 943K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

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FS50R07N2E4_B11 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13针数：25
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.58
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：650 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X13元件数量：6
端子数量：13封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：265 ns
标称接通时间 (ton)：43 nsBase Number Matches：1

FS50R07N2E4_B11 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FS50R07N2E4_B11  
EconoPACK™2ꢀ模块ꢀ采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管  
带有pressfit压接管脚和温度检测NTC  
EconoPACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 650V  
IC nom = 50A / ICRM = 100A  
典型应用  
TypicalꢀApplications  
• 电机传动  
• MotorꢀDrives  
电气特性  
ElectricalꢀFeatures  
• 增加阻断电压至650V  
• 高短路能力，自限制短路电流  
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V  
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
CircuitꢀCurrent  
• 沟槽栅IGBT4  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• TrenchꢀIGBTꢀ4  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
机械特性  
MechanicalꢀFeatures  
• 集成NTC温度传感器  
• 铜基板  
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor  
• CopperꢀBaseꢀPlate  
• PressFITꢀ压接技术  
• 标封装  
• PressFITꢀContactꢀTechnology  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-08  
revision:ꢀ2.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
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与FS50R07N2E4_B11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS50R07N2E4B11BOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
FS50R07N2E4BOSA1 INFINEON

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