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FS50R07U1E4

更新时间： 2024-09-26 20:36:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
9页	1505K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FS50R07U1E4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FS50R07U1E4 数据手册

テクニカルインフォメーションꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-モジュール

IGBT-modules

FS50R07U1E4

SmartPACK1ꢀモジュールꢀトレンチ/フィールドストップꢀIGBT4ꢀandꢀエミッターコントロールꢀdiode内蔵ꢀand

PressFITꢀ/ꢀNTCサーミスタ

SmartPACK1ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

V_CES= 650V

I_{C nom}= 50A / I_CRM= 100A

一般応用

TypicalꢀApplications

• AirꢀConditioning

• MotorꢀDrives

• 空冷

• モーター駆動

• サーボ駆動

• UPSシステム

• ServoꢀDrives

• UPSꢀSystems

電気的特性

ElectricalꢀFeatures

• 650Vに増加したブロッキング電圧

• 高い短絡電流耐量、自己抑制型短絡電流

• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V

• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

CircuitꢀCurrent

• トレンチꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

機械的特性

MechanicalꢀFeatures

• 低熱インピーダンスのꢀAl₂O₃ꢁDCB

• コンパクトデザイン

• PressFITꢀ接合ꢀ技術

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• RuggedꢀDuplexꢀframeꢀconstruction

• 丈夫な2重フレーム構造

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀNK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ3.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS50R07U1E4BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FS50R07W1E3_B11A	INFINEON	获取价格	PressFIT
FS50R07W1E3B11ABOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACK
FS50R10KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R12KE3	INFINEON	获取价格	HÃ¶chstzulÃ¤ssige Werte / maximum rated value
FS50R12KE3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28
FS50R12KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R12KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R12KT3	INFINEON	获取价格	EconoPACK™2 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
FS50R12KT3	EUPEC	获取价格	echnische Information / technical information

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