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FQU2N90TU_WS

更新时间： 2024-11-08 20:05:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
9页	1367K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FQU2N90TU_WS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.72	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FQU2N90TU_WS 数据手册

January 2014

FQD2N90 / FQU2N90

N-Channel QFET^®MOSFET

900 V, 1.7 A, 7.2 Ω

Features

Description

• 1.7 A, 900 V, R_DS(on)= 7.2 Ω (Max.) @ V_GS= 10 V,

I_D= 0.85 A

• Low Gate Charge (Typ. 12 nC)

• Low Crss (Typ. 5.5 pF)

• 100% Avalanche Tested

• RoHS Compliant

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary

planar stripe and DMOS technology. This advanced

MOSFET technology has been especially tailored to

reduce on-state resistance, and to provide superior

switching performance and high avalanche energy

strength. These devices are suitable for switched mode

power supplies, active power factor correction (PFC), and

electronic lamp ballasts.

I-PAK

D-PAK

Absolute Maximum Ratings T_C= 25^oC unless otherwise noted.

FQD2N90TM

FQU2N90TU_WS

FQU2N90TU_AM002

Symbol

Parameter

Unit

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Thermal Characteristics

FQD2N90TM

FQU2N90TU_WS

Symbol

Parameter

Unit

FQU2N90TU_AM002

R_JC

R_JA

Thermal Resistance, Junction to Case, Max.

2.5

110

Thermal Resistance, Junction to Ambient (minimum pad of 2 oz copper), Max.

Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in²pad of 2 oz copper), Max.

^oC/W

www.fairchildsemi.com

FQD2N90 / FQU2N90 Rev. C2

12 3 4 5 6 7...9

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FQU2N90TU_WS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQU2N90TU_AM002	FAIRCHILD	类似代替	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQU2N90TU	FAIRCHILD	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FQU2N90TU_WS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FQU2N90TU-AM002	ONSEMI	获取价格	N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
FQU2N90TU-WS	ONSEMI	获取价格	N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
FQU2P25	FAIRCHILD	获取价格	250V P-Channel MOSFET
FQU2P25TU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FQU2P40	FAIRCHILD	获取价格	400V P-Channel MOSFET
FQU30N06	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel MOSFET
FQU30N06_09	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel MOSFET
FQU30N06L	FAIRCHILD	获取价格	60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU30N06LTU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQU30N06TU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22.7A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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