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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQU3N50CTU_NL
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FQU3N50CTU_NL

更新时间： 2024-09-13 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1043K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, IPAK-3

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FQU3N50CTU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQU3N50CTU_NL 数据手册

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QFET®  
FQD3N50C/FQU3N50C  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
2.5 A, 500 V, R  
= 2.5 Ω @ V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 10 nC )  
Low Crss ( typical 8.5 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switched mode power supplies, active power factor cor-  
rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.  
100 % avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
D
●
◀
▲
●
●
G
{
I-PAK  
D-PAK  
G
S
FQD Series  
FQU Series  
G D S  
{
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
DSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
FQD3N50C/FQU3N50C  
Units  
V
V
500  
I
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
2.5  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.5  
A
C
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
10  
A
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
30  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
200  
mJ  
A
AS  
I
2.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
35  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.28  
-55 to +150  
300  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
R
R
--  
50  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD3N50C/FQU3N50C Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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