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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | PLASTIC, IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.94 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A | 最大漏源导通电阻： | 2.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10.4 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU4N50TU-WS | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 500V，2.6A，2.7Ω |
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| FQU4P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
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| FQU4P25TU | ROCHESTER |
获取价格 |
3.1A, 250V, 2.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| FQU4P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
|
| FQU4P40TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQU5N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQU5N15TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU5N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N20LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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