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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQU5N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 600 V, 2.8 A, 2.5 Ohm |
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| FQU5N60CTU | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.8 A，2.5 Ω，IPAK |
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| FQU5P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET |
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| FQU5P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FQU5P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQU5P20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU5P20TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-3.7 A，1.4 Ω，IPAK |
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| FQU5P20TU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQU60N03L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40.3A I(D) | TO-251AA |
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