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FQU5N50

更新时间: 2024-11-18 22:18:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 763K
描述
500V N-Channel MOSFET

FQU5N50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76雪崩能效等级(Eas):300 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:1.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQU5N50 数据手册

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FQU5N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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分立式 MOSFET
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N-Channel QFET MOSFET 600 V, 2.8 A, 2.5 Ohm
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,2.8 A,2.5 Ω,IPAK
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FQU5P20 FAIRCHILD

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200V P-Channel MOSFET