是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.71 | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FQU5N50C | FAIRCHILD | 500V N-Channel MOSFET |
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FQU5N50CTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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FQU5N50CTU-WS | ONSEMI | 分立式 MOSFET |
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FQU5N50TU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQU5N60C | FAIRCHILD | 600V N-Channel MOSFET |
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FQU5N60CTU | FAIRCHILD | N-Channel QFET MOSFET 600 V, 2.8 A, 2.5 Ohm |
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