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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQI5N50CTU | FAIRCHILD |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQP5N50C | FAIRCHILD |
功能相似 |
500V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU5N50CTU-WS | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
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| FQU5N50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQU5N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 600 V, 2.8 A, 2.5 Ohm |
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| FQU5N60CTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.8 A，2.5 Ω，IPAK |
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| FQU5P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQU5P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FQU5P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
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| FQU5P20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQU5P20TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-3.7 A，1.4 Ω，IPAK |
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