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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQU5P20TU_NL
FQU5P20TU_NL PDF预览

FQU5P20TU_NL

更新时间： 2024-01-03 22:16:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 617K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, LEAD FREE, IPAK-3

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FQU5P20TU_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：330 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：1.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQU5P20TU_NL 数据手册

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May 2000  
TM  
QFET  
FQD5P20 / FQU5P20  
200V P-Channel MOSFET  
General Description  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters.  
Features  
•
•
•
•
•
-3.7A, -200V, R  
= 1.4Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 12 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
●
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
S
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD5P20 / FQU5P20  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-200  
-3.7  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-2.34  
-14.8  
± 30  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
330  
mJ  
A
-3.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
45  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.36  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.78  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, May 2000  
1234567...9

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