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FQU7N20 PDF预览

FQU7N20

更新时间: 2024-09-23 22:18:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 694K
描述
200V N-Channel MOSFET

FQU7N20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.29
雪崩能效等级(Eas):73 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5.3 A
最大漏极电流 (ID):5.3 A最大漏源导通电阻:0.69 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQU7N20 数据手册

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FQU7N20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQU7N20TU FAIRCHILD

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FQU7N20TU ROCHESTER

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FQU7P06 FAIRCHILD

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60V P-Channel MOSFET
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5.4A, 60V, 0.451ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3