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FQU5P20TU_NL

更新时间： 2024-02-06 14:26:00

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
9页	617K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, LEAD FREE, IPAK-3

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FQU5P20TU_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.7 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQU5P20TU_NL 数据手册

•

Improved dv/dt capability

V_GS

10¹

Typic

Top :

-15.0 V

-10.0 V

-8.0 V

-7.0 V

-6.5 V

-6.0 V

10⁰Bottom : -5.5 V

10⁰

℃

150

-1

℃

※

Notes :

※

Notes :

2. T_C= 25

1. 250 s Pulse Test

1. V_DS= -40V

℃

-55

℃

2. 250 s Pulse Test

-2

-1

10⁰

10¹

-V_GS, Gate-Source Voltage [V]

-V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Characteristics

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

3.0

2.4

1.8

1.2

0.6

0.0

10¹

V_GS= - 10V

V_GS= - 20V

10⁰

※

Notes :

℃

150

℃

1. V_GS= 0V

※

℃

Note : T = 25

2. 250 s Pulse Test

-1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-I_D, Drain Current [A]

-V_SD, Source-Drain Voltage [V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current

and Temperature

750

600

450

300

150

_iss= C_gs+ C_gd(C_ds= shorted)

C_oss= C_ds+ C_gd

C_rss= C_gd

V_DS= -40V

V_DS= -100V

V_DS= -160V

iss

C_oss

※

Notes :

1. V_GS= 0 V

2. f = 1 MHz

rss

※

Note : I_D= -4.8 A

10^-1

10⁰

10¹

Q_G, Total Gate Charge [nC]

-V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Rev. A, May 2000

1 234 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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