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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FQU60N03L | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40.3A I(D) | TO-251AA |
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| FQU630 | FAIRCHILD | 200V N-Channel MOSFET |
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| FQU6N15 | FAIRCHILD | 150V N-Channel MOSFET |
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| FQU6N15TU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU6N25 | FAIRCHILD | 250V N-Channel MOSFET |
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| FQU6N25TU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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