5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU5N30TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU5N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N40TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 400 V, 3.4 A, 1.6 Ohm |
|
| FQU5N40TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，3.4 A，1.6 Ω，IPAK |
|
| FQU5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N50CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU5N50CTU-WS | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
| FQU5N50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
