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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQU5N40TU | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，3.4 A，1.6 Ω，IPAK |
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| FQU5N40TU | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel QFET MOSFET 400 V, 3.4 A, 1.6 Ohm |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU5N40TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 400 V, 3.4 A, 1.6 Ohm |
|
| FQU5N40TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，3.4 A，1.6 Ω，IPAK |
|
| FQU5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQU5N50CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQU5N50CTU-WS | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
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| FQU5N50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 600 V, 2.8 A, 2.5 Ohm |
|
| FQU5N60CTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.8 A，2.5 Ω，IPAK |
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