5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQU4N20L
FQU4N20L PDF预览

FQU4N20L

更新时间： 2024-11-18 22:18:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 522K
描述
200V LOGIC N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQU4N20L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：52 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：1.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQU4N20L 数据手册

 浏览型号FQU4N20L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQU4N20L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQU4N20L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQU4N20L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQU4N20L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQU4N20L的Datasheet PDF文件第7页 
December 2000  
TM  
QFET  
FQD4N20L / FQU4N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
3.2A, 200V, R  
= 1.35Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.0 nC)  
Low Crss ( typical 6.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, and motor control.  
Low level gate drive requirement allowing direct  
operation from logic drivers  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD4N20L / FQU4N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
3.2  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.02  
12.8  
± 20  
52  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
3.2  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
30  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.24  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.17  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与FQU4N20L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQU4N20LTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQU4N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQU4N25TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQU4N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQU4N50_09 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQU4N50TU ETC

获取价格

 		100% avalanche tested, RoHS Compliant
FQU4N50TU_WS FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQU4N50TU-WS ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 500V，2.6A，2.7Ω
FQU4P25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQU4P25TU ROCHESTER

获取价格

 		3.1A, 250V, 2.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3

与FQU4N20L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证