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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU4N50_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQU4N50TU | ETC |
获取价格 |
100% avalanche tested, RoHS Compliant |
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| FQU4N50TU_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU4N50TU-WS | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 500V，2.6A，2.7Ω |
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| FQU4P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
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| FQU4P25TU | ROCHESTER |
获取价格 |
3.1A, 250V, 2.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| FQU4P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
|
| FQU4P40TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQU5N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQU5N15TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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