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FQU3N60CTU

更新时间： 2024-09-13 21:09:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 770K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

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FQU3N60CTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：3.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQU3N60CTU 数据手册

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August 2006  
®
QFET  
FQD3N60C / FQU3N60C  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
2.4A, 600V, RDS(on)  
=
3.4 Ω @VGS = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
Low gate charge ( typical 10.5nC)  
Low Crss ( typical 5pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switched mode power supplies, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
D
G
I-PAK  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
FQU Series  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Units  
V
FQD3N60C / FQU3N60C  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
600  
2.4  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
1.5  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
9.6  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
150  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.4  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
5.0  
mJ  
V/ns  
W
4.5  
50  
- Derate above 25°C  
0.4  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
FQD3N60C / FQU3N60C  
RθJC  
RθJA*  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2.5  
50  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD3N60C / FQU3N60C Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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与FQU3N60CTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQU3N60TU ROCHESTER

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 		2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
FQU3N60TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQU3P20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V P-Channel MOSFET
FQU3P20TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQU3P50 FAIRCHILD

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 		500V P-Channel MOSFET
FQU3P50TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQU45N03L ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA
FQU4N20 FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET
FQU4N20L FAIRCHILD

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 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU4N20LTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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