是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 250 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.1 A | 最大漏源导通电阻: | 4.9 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQU45N03L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA | |
FQU4N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQU4N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQU4N20LTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQU4N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQU4N25TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQU4N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQU4N50_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FQU4N50TU | ETC |
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100% avalanche tested, RoHS Compliant | |
FQU4N50TU_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |