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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.34 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9.6 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU3N60TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| FQU3N60TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU3P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
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| FQU3P20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQU3P50 | FAIRCHILD |
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500V P-Channel MOSFET |
|
| FQU3P50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQU45N03L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
|
| FQU4N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQU4N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQU4N20LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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