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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQU2P40
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FQU2P40

更新时间： 2024-11-20 22:18:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 585K
描述
400V P-Channel MOSFET

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FQU2P40 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.56 A
最大漏极电流 (ID)：1.56 A最大漏源导通电阻：6.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.24 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQU2P40 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQD2P40 / FQU2P40  
400V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
-1.56A, -400V, R  
= 6.5Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 6.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for electronic lamp ballasts based on the  
complementary half bridge topology.  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
●
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
S
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD2P40 / FQU2P40  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-400  
-1.56  
-0.98  
-6.24  
± 30  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
120  
mJ  
A
-1.56  
3.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-4.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
38  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.29  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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