是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 24 A |
最大漏极电流 (ID): | 24 A | 最大漏源导通电阻: | 0.047 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 44 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD20NF06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 ![]() |
N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQU30N06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.7A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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FQU3N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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FQU3N25TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQU3N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
![]() |
FQU3N30TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
![]() |
FQU3N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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FQU3N40TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2A, 400V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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FQU3N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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FQU3N50CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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FQU3N50CTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 250V, 3A, 1.75Ω |
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