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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU3N40TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2A, 400V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| FQU3N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQU3N50CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQU3N50CTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 250V, 3A, 1.75Ω |
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| FQU3N50CTU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU3N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQU3N60CTU | ROCHESTER |
获取价格 |
2.4A, 600V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, IPAK-3 |
|
| FQU3N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU3N60CTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.4 A，3.4 Ω，IPAK |
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| FQU3N60TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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