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FQU2N90TU PDF预览

FQU2N90TU

更新时间： 2024-11-10 20:01:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 700K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU2N90TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：7.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQU2N90TU 数据手册

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FQU2N90TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQU2N90TU_WS FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FQU2N90TU_AM002 FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
STD2NK90Z-1 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET

与FQU2N90TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQU2N90TU_AM002 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQU2N90TU_WS FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FQU2N90TU-AM002 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
FQU2N90TU-WS ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
FQU2P25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQU2P25TU FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQU2P40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V P-Channel MOSFET
FQU30N06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQU30N06_09 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQU30N06L FAIRCHILD

获取价格

 		60V LOGIC N-Channel MOSFET

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