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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 52 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.4 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N80 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，3.9 A，3.6 Ω，TO-220 |
|
| FQP4N80J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP4N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N90C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220 |
|
| FQP4N90J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 900V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP4P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
|
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