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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V | 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 308 ns | 标称接通时间 (ton)： | 102 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGA50N100BNTDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| FGA50N100BNTDTU | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，1000V，NPT 沟槽 |
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| FGA50N100BNTTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK |
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| FGA50N60LS | FAIRCHILD |
获取价格 |
IGBT |
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| FGA50S110P | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，1100V，50A，短路阳极 |
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| FGA50T65SHD | ONSEMI |
获取价格 |
650 V, 50 A 场截止沟道 IGBT |
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| FGA6065ADF | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，60A，场截止沟槽 |
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| FGA60N60UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 60A Field Stop IGBT |
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| FGA60N60UFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 60A Field Stop IGBT |
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| FGA60N60UFDTU | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，60A，场截止 |
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