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FDS8947A

更新时间： 2024-11-28 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 239K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDS8947A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS8947A 数据手册

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March 1998  
FDS8947A  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
SO-8 P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
-4.0 A, -30 V. RDS(ON) = 0.052W @ VGS = -10 V  
RDS(ON) = 0.080W @ VGS = -4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
4
5
6
7
8
D2  
D1  
3
2
1
D1  
G2  
S2  
G1  
pin  
1
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol Parameter  
FDS8947A  
Units  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
-20  
V
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
- 4.0  
A
-20  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
FDS8947A Rev.B  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDS8947A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4435DY FAIRCHILD

类似代替

 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4953 FAIRCHILD

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FDS9926A FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与FDS8947A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS8947A_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.052ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8947AD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.052ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8947AL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.052ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8947AL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.052ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.052ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS8949 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS8949 ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，40V，6A，29mΩ
FDS8949 UMW

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 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°
FDS8949_10 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFE
FDS8949_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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