5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDS8958A_F085
FDS8958A_F085 PDF预览

FDS8958A_F085

更新时间： 2024-09-15 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 745K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS8958A_F085 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.93
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：438808Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC8 CASE751EBSamacsys Released Date：2017-10-04 16:30:57
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：54 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS8958A_F085 数据手册

 浏览型号FDS8958A_F085的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958A_F085的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A_F085的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A_F085的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958A_F085的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A_F085的Datasheet PDF文件第7页 
February 2010  
tm  
FDS8958A_F085  
Dual N & P-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state ressitance and yet maintain superior switching  
performance.  
•
Q1:  
N-Channel  
7.0A, 30V  
RDS(on) = 0.028Ω @ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.040Ω @ VGS = 4.5V  
•
Q2:  
P-Channel  
-5A, -30V  
RDS(on) = 0.052Ω @ VGS = -10V  
RDS(on) = 0.080Ω @ VGS = -4.5V  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
•
•
Fast switching speed  
High power and handling capability in a widely  
used surface mount package  
Qualified to AEC Q101  
RoHS Compliant  
•
•
D2  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
7
30  
±20  
-5  
V
V
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
A
20  
2
-20  
2
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
W
(Note 1a)  
(Note 1c)  
1.6  
0.9  
54  
1.6  
0.9  
13  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
mJ  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS8958A  
FDS8958A_F085  
13”  
12mm  
2500 units  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8958A_F085 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

中文翻译

下载PDF

FDS8958A_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS8958A FAIRCHILD

类似代替

 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
IRF7319TRPBF INFINEON

功能相似

 GenarafionV Technology
STS8C5H30L STMICROELECTRONICS

功能相似

 LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET

与FDS8958A_F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS8958A_NF073 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958AF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A-F085 ONSEMI

获取价格

 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8958AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A-SBND001A FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDS8958B FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-C
FDS8958B ONSEMI

获取价格

 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V

与FDS8958A_F085相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证