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FDS8984 PDF预览

FDS8984

更新时间： 2024-11-19 11:15:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 273K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，7A，23mΩ

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FDS8984 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.68
Samacsys Description：FDS8984 Dual N-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor雪崩能效等级（Eas）：32 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDS8984 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
30 V  
23 mW @ V = 10 V  
7.0 A  
6.0 A  
GS  
30 V, 7 A, 23 mW  
30 mW @ V = 4.5 V  
GS  
FDS8984, FDS8984-F40  
D2  
D2  
D1  
D1  
General Description  
This N−Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of dc−dc converters using either  
synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been  
G2  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
optimized for low gate charge, low R  
and fast switching speed.  
DS(ON)  
SOIC8  
CASE 751EB  
Features  
• Max R  
• Max R  
= 23 mW @ V = 10 V, I = 7 A  
GS D  
DS(ON)  
= 30 mW @ V = 4.5 V, I = 6 A  
DS(ON)  
GS  
D
MARKING DIAGRAM  
• Low Gate Charge  
• 100% R Tested  
• This Device is Pb−Free and Halogen Free  
G
FDS8984  
ALYW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
FDS8984  
A
L
YW  
= Specific Device Code  
= Assembly Site  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
V
DS  
V
GS  
30  
20  
V
I
D
Drain Current  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
7
A
30  
E
Single Pulse Avalache Energy (Note 2)  
Power Dissipation for Single Operation  
Derate Above 25°C  
32  
1.6  
mJ  
W
AS  
PIN ASSIGNMENT  
P
D
13  
mW/°C  
°C  
5
6
7
8
4
3
2
1
T , T  
Operating and Storage Temperature  
−55 to +150  
J
STG  
Q2  
Q1  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
N−Channel MOSFET  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
78  
°C/W  
(Note 1a)  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
40  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
FDS8984  
SOIC8  
2500 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
FDS8984−F40  
SOIC8  
2500 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
February, 2022 − Rev. 3  
FDS8984/D  
1234567

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FDS8984 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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