FDS9412_NL

更新时间： 2024-09-15 12:59:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	232K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS9412_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.9 A	最大漏极电流 (ID)：	7.9 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS9412_NL 数据手册

April 2000

FDS9412

Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced

• 7.9 A, 30 V.

R_DS(ON)= 22 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 36 mΩ @ V_GS= 4.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

• Very low gate charge.

• High switching speed

These devices are particularly suited for low voltage

applications such as notebook computer DC-DC

converter where fast switching, low conduction loss and

high efficiency are needed.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• High power and current handling capability in a

widely used surface mount package.

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

7.9

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

P_D

1.2

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS9412

13’’

12mm

2500 units

FDS9412 Rev D(W)

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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与FDS9412_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS9412A	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm
FDS9412D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS9412L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS9431	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified MOSFET
FDS9431A	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified MOSFET
FDS9431A	ONSEMI	获取价格	P 沟道，2.5V 指定，MOSFET，-20V，-3.5A，130mΩ
FDS9431A_10	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified MOSFET
FDS9431A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS9431AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS9431A-F085	ONSEMI	获取价格	P 沟道，2.5V 指定，MOSFET，-20V，-3.5A，130mΩ

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